MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN90N85X, VDSS 850 V, ID 90 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 146-4248
- Referência do fabricante:
- IXFN90N85X
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 146-4248
- Referência do fabricante:
- IXFN90N85X
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Serie | HiperFET | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.2kW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 340nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 9.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Serie HiperFET | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.2kW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 340nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 9.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 38.23mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de alimentación de 850 V Ultra-Junction X-Class con diodos de cuerpo rápido constituyen una nueva gama de semiconductores de alimentación de IXYS Corporation. Estos resistentes dispositivos ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas del sector, lo que permite una densidad de potencia muy alta en aplicaciones de conversión de potencia de alta tensión. Desarrollados con el principio de compensación de carga y una tecnología de proceso patentada, los nuevos dispositivos de 850 V ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas (33 miliohmios en el encapsulado SOT-227 y 41 miliohmios en el PLUS264, por ejemplo), así como cargas de compuerta bajas y un rendimiento de dv/dt superior.
Niveles ultrabajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)
Diodo de cuerpo rápido
Resistencia a dv/dt
Avalancha nominal
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar internacionales
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