MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo P-Canal FQPF5P20, VDSS 200 V, ID 3.4 A, TO-220F, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
145-4635
Referência do fabricante:
FQPF5P20
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

QFET

Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

5V

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.36mm

Altura

16.07mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P QFET®, Fairchild Semiconductor


Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi


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