MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQPF5P20, VDSS 200 V, ID 3.4 A, Mejora, TO-220F de 3 pines
- Código RS:
- 862-8772
- Referência do fabricante:
- FQPF5P20
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 862-8772
- Referência do fabricante:
- FQPF5P20
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220F | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 16.07mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220F | ||
Serie QFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.9mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 16.07mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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