MOSFET, N-Canal onsemi NVD5C688NLT4G, VDSS 60 V, ID 17 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
141-7240
Referência do fabricante:
NVD5C688NLT4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

NVD5C688NL-D

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Disipación de potencia máxima Pd

18W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Altura

2.38mm

Anchura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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