MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 17 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 141-2081
- Referência do fabricante:
- NVD5C688NLT4G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1 607,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2500 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,643 € | 1 607,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 141-2081
- Referência do fabricante:
- NVD5C688NLT4G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | NVD5C688NL-D | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 18W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.38mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie NVD5C688NL-D | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 18W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.38mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVD5C688NLT4G, VDSS 60 V, ID 17 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 24 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 38 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 16 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines