MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 3.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 151-3050
- Referência do fabricante:
- PMV55ENEAR
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 151-3050
- Referência do fabricante:
- PMV55ENEAR
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 8.36W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 8.36W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de automoción. La cartera de más grande del mundo de MOSFET de potencia con certificación AEC-Q101. Un profundo conocimiento de los requisitos de los sistemas de automoción y una gran capacidad técnica permite a Nexperia proporcionar soluciones de semiconductores de potencia en un amplio espectro de aplicaciones. Desde el accionamiento de una simple lámpara a las sofisticadas necesidades de control de potencia en aplicaciones de motor, carrocería o chasis, los semiconductores de potencia Nexperia dan respuesta a muchos problemas en los sistemas de automoción.
Conforme a AEC-Q101
Índice de avalancha repetitiva
Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C
MOSFET de zanja de canal N, 60 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET
Compatible con nivel lógico
Conmutación muy rápida
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM
Certificación AEC-Q101
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