MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4510TRLPBF, VDSS 100 V, ID 61 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 130-1005
- Referência do fabricante:
- IRFS4510TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
14,03 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 705 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,806 € | 14,03 € |
| 50 - 120 | 2,384 € | 11,92 € |
| 125 - 245 | 2,244 € | 11,22 € |
| 250 - 495 | 2,076 € | 10,38 € |
| 500 + | 1,936 € | 9,68 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 130-1005
- Referência do fabricante:
- IRFS4510TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 61A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 61A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 61 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 160 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 100 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB160N04S4H1ATMA1, VDSS 40 V, ID 160 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB120N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263