MOSFET, N-Canal Vishay SISS32ADN-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 50.3 A, N, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 878-901
- Referência do fabricante:
- SISS32ADN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade, em fita de 1)*
2,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,02 € |
| 10 - 99 | 0,95 € |
| 100 - 499 | 0,85 € |
| 500 - 999 | 0,67 € |
| 1000 + | 0,64 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 878-901
- Referência do fabricante:
- SISS32ADN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Serie | SiSS | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0087Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.83mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Serie SiSS | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0087Ω | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.83mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Anchura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El semiconductor de Vishay es un MOSFET de canal N robusto diseñado para una gestión eficiente de la potencia, con baja resistencia en estado activo y rendimiento térmico mejorado para entornos operativos exigentes.
La tecnología TrenchFET Gen IV ofrece una eficiencia superior
El RDS(on) muy bajo reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento
La tensión de umbral de fuente de puerta garantiza una conmutación fiable
El amplio rango de temperaturas garantiza el funcionamiento en diversas condiciones
El diseño de encapsulado permite una integración simplificada en los diseños de circuitos
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS32ADN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 50.3 A, N, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS64DN-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS516DN-T1-UE3, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS586DN-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 70.6 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS26DN-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS52DN-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISS5207DN-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -136.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS32ADN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines