MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS516DN-T1-UE3, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
735-241
Referência do fabricante:
SISS516DN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.011Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una conmutación de potencia eficiente en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Ofrece un rendimiento fiable con una resistencia de puerta completa y pruebas de conmutación inductiva sin abrazadera, lo que garantiza un funcionamiento robusto en condiciones exigentes. El dispositivo admite diseños respetuosos con el medio ambiente con una construcción conforme con RoHS y sin halógenos, lo que lo convierte en adecuado para sistemas modernos de gestión de energía.

Admite un funcionamiento de alta fiabilidad en entornos exigentes

Apto para aplicaciones de rectificación síncrona

Ideal para usar como interruptor de lado primario en convertidores de potencia

Cumple los requisitos RoHS y sin halógenos

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