MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SIHG033N60SF-GE3, VDSS 60 V, ID 375 A, Modo de mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-495
- Referência do fabricante:
- SIHG033N60SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 851-495
- Referência do fabricante:
- SIHG033N60SF-GE3
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- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 375A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 101nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 375A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 101nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento, lo que proporciona una eficiencia y fiabilidad excepcionales. Este componente dispone de tecnología de diodo de cuerpo rápido, lo que lo convierte en adecuado para condiciones de tensión y corriente exigentes.
La tecnología de la serie SF de última generación mejora la longevidad del rendimiento
La baja cifra de mérito garantiza un funcionamiento eficiente
Clasificación de energía de avalancha, lo que garantiza la robustez en condiciones extremas
La categorización de materiales ayuda al cumplimiento en diversas aplicaciones
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