MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-083
- Referência do fabricante:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-083
- Referência do fabricante:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 32A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.12Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.42mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 32A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie E | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.12Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.42mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 32 A - SIHR120N60E-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para la conversión y el control de potencia de montaje en superficie en sistemas industriales. Funciona como dispositivo de mejora de canal N y es adecuado para aplicaciones que requieren una tolerancia térmica robusta y un manejo de potencia sostenido en entornos eléctricos exigentes.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente continua de 32 A admite corrientes de carga sustanciales • La Rds(on) de 0,12 Ω minimiza las pérdidas de conducción en condiciones nominales • La disipación de potencia de 278 W permite un rendimiento térmico significativo • Velocidades de carga de puerta típicas de 29 nC transiciones de conmutación • La temperatura de unión máxima de 150 °C soporta tensiones térmicas elevadas
Aplicaciones
• Apto para etapas de potencia de accionamiento de motor de alta tensión • Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en equipos industriales • Se utiliza para convertidores CA/dc que requieren una alta capacidad de disipación • Se puede utilizar para circuitos de control de iluminación y balasto electrónico • Apto para conmutación de potencia en automatización y paneles de control
¿Qué estilo de montaje requiere para el montaje de placas?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAK sin plomo con ocho contactos, diseñado para fijación soldada a tierra de PCB y vías térmicas para la extracción de calor.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo admitir?
La tolerancia de puerta-fuente es de ±30 V, y la carga de puerta típica de 29 nC requiere un controlador capaz de generar y absorber corriente suficiente para la frecuencia de conmutación prevista.
¿Cómo afecta su rango de temperaturas a la implementación?
El dispositivo está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en amplios escenarios ambientales y de unión elevada siempre que se aplique la gestión térmica.
¿Qué límites eléctricos protegen contra sobretensión o disipación excesiva?
La tensión máxima de drenaje-fuente es de 600 V y la disipación de potencia nominal es de 278 W
los diseños deben incluir la sujeción adecuada y vías térmicas para evitar el exceso.
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