MOSFET de automoción, Doble canal N-Canal Vishay SQJ768ELP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 21 A, MOSFET, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- Código RS:
- 790-425
- Referência do fabricante:
- SQJ768ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 10 unidades)*
11,74 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,174 € | 11,74 € |
| 50 + | 1,151 € | 11,51 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 790-425
- Referência do fabricante:
- SQJ768ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de automoción | |
| Tipo de canal | Doble canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0305Ω | |
| Modo de canal | MOSFET | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de automoción | ||
Tipo de canal Doble canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8L | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0305Ω | ||
Modo de canal MOSFET | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N doble de Vishay Automotive ofrece un rendimiento robusto en un amplio rango de temperaturas, diseñado para gestionar de manera eficiente aplicaciones de conmutación y accionamiento en sistemas de automoción.
La tecnología MOSFET de potencia TrenchFET garantiza un funcionamiento eficiente
Certificación AEC Q101 para la fiabilidad en aplicaciones de automoción
100 % probado R y UIS para garantizar el rendimiento
Los bajos valores de resistencia en estado activo contribuyen a mejorar la eficiencia
Links relacionados
- MOSFET de automoción, Canal N-Canal Vishay SQJ112EP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 95 A, MOSFET, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET de automoción, Canal N-Canal Vishay SQJ114EP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 58 A, MOSFET, PowerPAK SO-8L de 8 pines
- MOSFET de automoción, Canal N-Canal Vishay SQJ183ELP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 49 A, MOSFET, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJ742EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 99 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJ742ELP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 98 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJ181ELP-T1_GE3, VDSS -80 V, ID -128 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ182EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 210 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ136ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 350 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines