MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 410 A, Reducción, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- Código RS:
- 239-8665
- Referência do fabricante:
- SQJ160EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2 406,00 €
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,802 € | 2 406,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 239-8665
- Referência do fabricante:
- SQJ160EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 410A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.002Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 410A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.002Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay SQJ es un MOSFET de canal N de automoción que funciona a 60 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para alta densidad de potencia.
Calificación AEC-Q101
Probado conforme a UIS
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