MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ182EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 210 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines
- Código RS:
- 239-5409
- Referência do fabricante:
- SQJ182EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 239-5409
- Referência do fabricante:
- SQJ182EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 210A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SQJ | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.005Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 210A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SQJ | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.005Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 210 A.
Calificación AEC-Q101
Probado al 100 % Rg y UIS
Ratio Qgd/Qgs < 1 optimiza las características de conmutación
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