MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STWA60N035M9, VDSS 600 V, ID 62 A, N, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 762-554
- Referência do fabricante:
- STWA60N035M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 762-554
- Referência do fabricante:
- STWA60N035M9
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- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | STWA60N0 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 112nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 321W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie STWA60N0 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 112nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 321W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de superunión de canal N de STMicroelectronics es un dispositivo de potencia de alta eficiencia basado en la tecnología de superunión MDmesh M9 avanzada. Está diseñado para aplicaciones de media a alta tensión donde las bajas pérdidas de conducción y la conmutación rápida son críticas.
FOM muy bajo
Capacidad dv/dt superior
Excelente rendimiento de conmutación
100 % a prueba de avalancha