MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STWA60N035M9, VDSS 600 V, ID 62 A, N, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
762-554
Referência do fabricante:
STWA60N035M9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

STWA60N0

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

321W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

112nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

21.1mm

Altura

5.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de superunión de canal N de STMicroelectronics es un dispositivo de potencia de alta eficiencia basado en la tecnología de superunión MDmesh M9 avanzada. Está diseñado para aplicaciones de media a alta tensión donde las bajas pérdidas de conducción y la conmutación rápida son críticas.

FOM muy bajo

Capacidad dv/dt superior

Excelente rendimiento de conmutación

100 % a prueba de avalancha

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