MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STW65N040M9-4, VDSS 650 V, ID 58 A, Modo de mejora, PG-TO-247 de 4
- Código RS:
- 800-466
- Referência do fabricante:
- STW65N040M9-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 800-466
- Referência do fabricante:
- STW65N040M9-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 37mΩ | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 321W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK | |
| Altura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 321W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK | ||
Altura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media/alta con RDS(on) muy bajo por área.
FOM muy bajo (RDS(on)·Qg)
Capacidad dv/dt superior
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de conducir
100 % a prueba de avalancha
Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional
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