MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STHU65N110DM9AG, VDSS 650 V, ID 26 A, N, HU3PAK de 7 pines
- Código RS:
- 762-553
- Referência do fabricante:
- STHU65N110DM9AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 762-553
- Referência do fabricante:
- STHU65N110DM9AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Serie | STHU65N1 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 11.9mm | |
| Anchura | 14.1 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Serie STHU65N1 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 11.9mm | ||
Anchura 14.1 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El MOSFET de potencia de superunión de canal N de STMicroelectronics es un dispositivo de potencia de alta eficiencia basado en la tecnología de superunión MDmesh M9 avanzada. Está diseñado para aplicaciones de media a alta tensión donde las bajas pérdidas de conducción y la conmutación rápida son críticas.
FOM muy bajo
Capacidad dv/dt superior
Excelente rendimiento de conmutación
100 % a prueba de avalancha
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