MOSFET, N-Canal Vishay SIEH3812EW-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 322 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 8 pines

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Código RS:
736-346
Referência do fabricante:
SIEH3812EW-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

322A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Serie

SIEH3812EW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00175Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

417W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

154nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

8mm

Anchura

8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta eficiencia, con un diseño de canal N que admite una corriente de drenaje continua significativa, ideal para soluciones avanzadas de gestión de energía.

Estructura totalmente libre de plomo (Pb) y halógenos para garantizar el cumplimiento de la normativa medioambiental

Probado al 100 % para R y UIS para garantizar la fiabilidad

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