MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHK125N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 239-8638
- Referência do fabricante:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 239-8638
- Referência do fabricante:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.109Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 132W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.109Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 132W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 21 A - SIHK125N60E-T1-GE3
Características y ventajas:
• Corriente de drenaje continua de 21 A que admite corrientes de carga sustanciales
• Rds(on) bajos de 0,109 Ω que reducen las pérdidas por conducción en las etapas de potencia
• Disipación de potencia de 132 W que permite una mayor capacidad térmica
• La tolerancia de puerta de hasta 30 V permite esquemas de accionamiento agresivos
• Carga de puerta típica de 54 nC para transiciones de conmutación rápidas
Aplicaciones
• Ideal para módulos de distribución de potencia de automoción integrados
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor que requieren conmutación de alta tensión
• Puede utilizarse para fuentes de alimentación en equipos de telecomunicaciones
• Apto para implementaciones de medio puente y rectificador síncrono
¿Qué condiciones térmicas puede soportar en entornos hostiles?
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y el montaje?
¿Es este dispositivo adecuado para flujos de trabajo de certificación de automoción?
¿Qué compensaciones de conducción y conmutación deben esperar los diseñadores?
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