MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHD250N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 735-240
- Referência do fabricante:
- SIHD250N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
2,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 27 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,50 € |
| 10 - 24 | 1,62 € |
| 25 - 99 | 0,85 € |
| 100 - 499 | 0,83 € |
| 500 + | 0,82 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-240
- Referência do fabricante:
- SIHD250N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | EF Series | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.269Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie EF Series | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.269Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHD5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUD23N06-31-GE3, VDSS 60 V, ID 23 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SUD50P04-08-GE3, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines