MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI2318HDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 5.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 735-214
- Referência do fabricante:
- SI2318HDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
0,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 31 de maio de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,20 € |
| 25 - 99 | 0,13 € |
| 100 + | 0,08 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-214
- Referência do fabricante:
- SI2318HDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.051Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.051Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI2318CDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 5.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 5.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SI2301HDS-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -3.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI2302HDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI2324BDS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 (TO-236AB) de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2309CDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si2387DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines