Referência do fabricante

MOSFET, N-Canal Vishay SI2318CDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 5.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 787-9036
Número do artigo Distrelec:: 304-02-276
Referência do fabricante:: SI2318CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, N-Canal Vishay SI2318CDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 5.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 787-9036
Número do artigo Distrelec:: 304-02-276
Referência do fabricante:: SI2318CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	Si2318CDS
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	51mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	5.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.1W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.4mm
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.02mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie Si2318CDS
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 51mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.1W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.4mm
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.02mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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