MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics STS1DNC45, VDSS 450 V, ID 0.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
151-447
Referência do fabricante:
STS1DNC45
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

450V

Encapsulado

SO-8

Serie

SuperMESH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición de Power MESH bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

Contorno estándar para un montaje en superficie automatizado sencillo

Carga de puerta minimizada

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