MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RH7G04BBJFRATCB, VDSS -40 V, Mejora, DFN3333T8LSAB de 8 pines
- Código RS:
- 687-447
- Referência do fabricante:
- RH7G04BBJFRATCB
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-447
- Referência do fabricante:
- RH7G04BBJFRATCB
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Serie | RH7G04BBJFRAT | |
| Encapsulado | DFN3333T8LSAB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Serie RH7G04BBJFRAT | ||
Encapsulado DFN3333T8LSAB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para ofrecer un rendimiento robusto en aplicaciones exigentes, ofreciendo una eficiencia y fiabilidad excepcionales. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de -40 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 40 A, este componente destaca en gestión de energía. Su baja resistencia en estado activo de solo 11,9 mΩ mejora la eficiencia energética, por lo que es una opción ideal para sistemas industriales y de automoción. Diseñado para soportar temperaturas de –55 a 175 °C, este MOSFET garantiza durabilidad y estabilidad en una amplia gama de condiciones, mientras que su certificación AEC-Q101 indica su idoneidad para entornos de automoción, lo que contribuye a mejorar la seguridad y eficacia del dispositivo.
Certificación AEC Q101 para aplicaciones de automoción fiables
100 % probado contra avalanchas para mayor seguridad en condiciones extremas
Caja de conexiones de baja resistencia térmica, que favorece una disipación térmica eficaz
El amplio rango de temperaturas de funcionamiento garantiza la estabilidad del rendimiento en entornos exigentes
La resistencia en estado activo mínima optimiza la eficiencia energética, lo que reduce la pérdida de potencia total
Características capacitivas adaptadas a aplicaciones de conmutación rápida, que mejoran el rendimiento
Los flancos húmedos facilitan una soldadura fiable y una mayor calidad de montaje
Adecuado para diversas aplicaciones, incluidos ADAS, iluminación y sistemas de control de cuerpo
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