MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RH7G04CBJFRATCB, VDSS -40 V, Mejora, DFN3333T8LSAB de 8 pines
- Código RS:
- 687-463
- Referência do fabricante:
- RH7G04CBJFRATCB
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-463
- Referência do fabricante:
- RH7G04CBJFRATCB
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Serie | RH7G04CBJFRA | |
| Encapsulado | DFN3333T8LSAB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Serie RH7G04CBJFRA | ||
Encapsulado DFN3333T8LSAB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en aplicaciones exigentes. Este componente está diseñado específicamente para la conmutación de alta eficiencia, por lo que es ideal para automoción, iluminación y otros sistemas de alta fiabilidad. Con sus robustas características térmicas, que incluyen una disipación de potencia máxima de 62 W y una impresionante corriente de drenaje continua de ±40 A, el RH7G04CBJFRA garantiza un funcionamiento fiable en diversas condiciones. Además, este MOSFET integra funciones avanzadas como las pruebas de avalancha y la certificación AEC-Q101, lo que garantiza la seguridad y la durabilidad en entornos críticos.
Ofrece una baja resistencia en estado activo de 17,7 mΩ para mejorar la eficiencia
Proporciona una corriente de drenaje pulsada máxima de ±80 A, lo que permite aplicaciones de alto rendimiento
Utiliza flancos húmedos para mejorar la fiabilidad de la unión de soldadura
Ofrece una robusta resistencia térmica para mantener el rendimiento con cargas pesadas
Funciona eficazmente en un amplio rango de temperaturas de –55 a +175 °C
Incluye una especificación de prueba de avalancha 100 % para mayor seguridad
Se emplea en una gran variedad de aplicaciones, como ADAS e iluminación de automoción
Se suministra con especificaciones de embalaje detalladas para una integración fácil de usar
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