MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N03BATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-384
- Referência do fabricante:
- RD3N03BATTL1
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 2 unidades)*
1,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 2480 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 0,75 € | 1,50 € |
| 20 - 48 | 0,66 € | 1,32 € |
| 50 - 198 | 0,595 € | 1,19 € |
| 200 - 998 | 0,48 € | 0,96 € |
| 1000 + | 0,47 € | 0,94 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 687-384
- Referência do fabricante:
- RD3N03BATTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N03BAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 56mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 54W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Anchura | 6.8 mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N03BAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 54W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 10.50mm | ||
Anchura 6.8 mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El MOSFET de potencia de canal P de ROHM está diseñado para ofrecer un funcionamiento eficiente en una gran variedad de aplicaciones, incluidos accionamientos de motor y circuitos de conmutación. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de –80 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de –30 A, este dispositivo está diseñado para ofrecer un rendimiento robusto en condiciones exigentes. Su baja resistencia de conexión de 56 mΩ garantiza una eficiencia óptima, minimizando las pérdidas de energía durante el funcionamiento. Además, el encapsulado TO-252 permite una fácil integración en los diseños electrónicos, proporcionando versatilidad y fiabilidad en factores de forma compactos. El RD3N03BAT también cumple las normas RoHS y sin halógenos, lo que lo convierte en una opción adecuada para diseños respetuosos con el medio ambiente.
Baja resistencia de encendido para mejorar la eficiencia y reducir la gestión térmica
Alta capacidad de potencia en un compacto encapsulado TO-252 para una aplicación versátil
La conformidad con la directiva RoHS y sin halógenos garantiza la seguridad medioambiental de la electrónica moderna
Las pruebas exhaustivas, que incluyen Rg y UIS, garantizan un funcionamiento y un rendimiento fiables
El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de –55 a +150 °C, admite diversas condiciones ambientales
Diseñado con valores de energía de avalancha fiables para mejorar la seguridad durante las condiciones transitorias
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N045ATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3E08BBJHRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG502EED3HRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3E07BBJHRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3L04BBJHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3P08BBLHRBTL, VDSS 100 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3L08BBJHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG501EGD3HRBTL, VDSS -40 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
