MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N03BATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-384
- Referência do fabricante:
- RD3N03BATTL1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-384
- Referência do fabricante:
- RD3N03BATTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | RD3N03BAT | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 56mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 54W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie RD3N03BAT | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 54W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 10.50mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El MOSFET de potencia de canal P de ROHM está diseñado para ofrecer un funcionamiento eficiente en una gran variedad de aplicaciones, incluidos accionamientos de motor y circuitos de conmutación. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de –80 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de –30 A, este dispositivo está diseñado para ofrecer un rendimiento robusto en condiciones exigentes. Su baja resistencia de conexión de 56 mΩ garantiza una eficiencia óptima, minimizando las pérdidas de energía durante el funcionamiento. Además, el encapsulado TO-252 permite una fácil integración en los diseños electrónicos, proporcionando versatilidad y fiabilidad en factores de forma compactos. El RD3N03BAT también cumple las normas RoHS y sin halógenos, lo que lo convierte en una opción adecuada para diseños respetuosos con el medio ambiente.
Baja resistencia de encendido para mejorar la eficiencia y reducir la gestión térmica
Alta capacidad de potencia en un compacto encapsulado TO-252 para una aplicación versátil
La conformidad con la directiva RoHS y sin halógenos garantiza la seguridad medioambiental de la electrónica moderna
Las pruebas exhaustivas, que incluyen Rg y UIS, garantizan un funcionamiento y un rendimiento fiables
El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de –55 a +150 °C, admite diversas condiciones ambientales
Diseñado con valores de energía de avalancha fiables para mejorar la seguridad durante las condiciones transitorias
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