MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N045ATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-488
- Referência do fabricante:
- RD3N045ATTL1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-488
- Referência do fabricante:
- RD3N045ATTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N045AT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 650mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.8 mm | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N045AT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 650mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.8 mm | ||
Longitud 10.50mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal P de ROHM está diseñado para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Con una tensión nominal de drenaje-fuente de -80 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de -4,5 A, este MOSFET proporciona un excelente rendimiento eléctrico para entornos exigentes. Su baja resistencia de conexión de 650 mΩ maximiza la eficiencia al tiempo que minimiza la generación de calor, lo que contribuye a una fiabilidad general superior. Conforme a la directiva RoHS y con un robusto encapsulado TO-252, el RD3N045AT es ideal para accionamientos de motor y otras aplicaciones de conmutación, ya que garantiza un funcionamiento robusto en escenarios de alta potencia. El dispositivo se ha probado rigurosamente para garantizar la fiabilidad de la puerta y sus características también no contienen halógenos, lo que favorece las prácticas respetuosas con el medio ambiente.
La baja resistencia de encendido de 650 mΩ mejora la eficiencia y reduce las pérdidas de potencia
Proporciona una gran capacidad de manejo de potencia con una disipación de potencia máxima de 17 W
Clasificado para una temperatura máxima de unión de 150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en condiciones exigentes
La capacidad de corriente de drenaje pulsado de ±9 A admite aplicaciones de carga transitoria
La tolerancia de tensión de fuente de puerta de ±20 V permite diseños de circuitos flexibles
Ideal para aplicaciones de accionamiento de motores, mejorando el rendimiento en motores eléctricos
La construcción conforme a la directiva RoHS promueve la sostenibilidad medioambiental
Probado para un 100 % de fiabilidad Rg y UIS, lo que garantiza un rendimiento robusto a largo plazo
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