MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG501EGD3HRBTL, VDSS -40 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-359
- Referência do fabricante:
- AG501EGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 2 unidades)*
3,48 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 100 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,74 € | 3,48 € |
| 20 - 48 | 1,53 € | 3,06 € |
| 50 - 198 | 1,375 € | 2,75 € |
| 200 - 998 | 1,11 € | 2,22 € |
| 1000 + | 1,08 € | 2,16 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 687-359
- Referência do fabricante:
- AG501EGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG501EGD3HRB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 142W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Anchura | 6.80 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Serie AG501EGD3HRB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 142W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 10.50mm | ||
Anchura 6.80 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal P de ROHM está diseñado para una gestión eficiente de la energía en sistemas de automoción y diversas aplicaciones. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de -40 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de hasta -80 A, este robusto dispositivo ofrece una fiabilidad excepcional en condiciones de funcionamiento exigentes. Con una baja resistencia de conexión de solo 4,9 mΩ, garantiza una pérdida de energía mínima, lo que contribuye a mejorar la eficiencia general del sistema y el rendimiento térmico. Este MOSFET también cuenta con la certificación AEC-Q101, lo que destaca su idoneidad para aplicaciones de automoción en las que deben cumplirse normas estrictas.
Ofrece baja resistencia de conexión para reducir la pérdida de potencia y mejorar la eficiencia
Certificación AEC Q101, que garantiza la fiabilidad para aplicaciones de automoción y críticas
Probado en avalancha para garantizar el rendimiento en condiciones dinámicas
Admite una disipación de potencia máxima de 142 W, compatible con diseños de alto rendimiento
Amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a 175 °C, lo que permite su uso en diversos entornos
Chapado sin plomo y conforme a RoHS, cumple las normas ambientales modernas
Especificaciones de embalaje optimizadas, incluidas opciones de integración para montaje automatizado
Proporciona una clasificación de energía de avalancha garantizada, lo que garantiza un funcionamiento robusto durante eventos transitorios
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3E08BBJHRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG502EED3HRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3E07BBJHRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3L04BBJHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N045ATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3N03BATTL1, VDSS 80 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3P08BBLHRBTL, VDSS 100 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3L08BBJHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines