MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG502EED3HRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-467
- Referência do fabricante:
- AG502EED3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-467
- Referência do fabricante:
- AG502EED3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG502EED3HRB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 77W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Anchura | 6.80 mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Serie AG502EED3HRB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 77W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 10.50mm | ||
Anchura 6.80 mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para una gestión eficaz y fiable de la energía en sistemas de automoción. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de -30 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 78 A, este dispositivo es ideal para aplicaciones exigentes que requieren una gestión robusta de la potencia. Su baja resistencia de conexión de 8,5 mΩ minimiza la pérdida de potencia, lo que contribuye a mejorar la eficiencia térmica. Además, el MOSFET está cualificado conforme a las normas AEC-Q101, lo que garantiza que cumple los rigurosos requisitos de automoción en cuanto a durabilidad y rendimiento. Con excelentes características de avalancha y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento, el AG502EED3HRB garantiza un rendimiento constante en diversas condiciones.
Construcción robusta con certificación AEC Q101 para aplicaciones de automoción
Baja resistencia de encendido de 8,5 mΩ, lo que optimiza la eficiencia energética
La corriente de drenaje continua máxima de 78 A permite manejar cargas exigentes
Amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a 175 °C para un rendimiento fiable
La resistencia térmica de 1,94 °C/W mejora la capacidad de disipación del calor
100 % probado a prueba de avalancha, lo que garantiza una alta fiabilidad en condiciones transitorias
Chapado sin plomo y conforme a las normas RoHS para un diseño respetuoso con el medio ambiente
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