MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- Código RS:
- 653-178
- Referência do fabricante:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
6,77 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 2000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,77 € |
| 10 - 49 | 6,58 € |
| 50 - 99 | 6,36 € |
| 100 + | 5,48 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-178
- Referência do fabricante:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SIHM080N60E | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 7.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SIHM080N60E | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 7.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia Vishay es un MOSFET de la serie E de 4a generación diseñado para conmutación de alta eficiencia en aplicaciones exigentes. Dispone de una baja cifra de mérito (FOM), capacidad efectiva reducida y rendimiento térmico optimizado. Envasado en PowerPAK 8x8L, es ideal para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHM080N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR100N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 7.1 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 172 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 81 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
