MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-078
- Referência do fabricante:
- SIHR100N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
8,15 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 4000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,15 € |
| 10 - 49 | 7,92 € |
| 50 - 99 | 7,66 € |
| 100 + | 6,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-078
- Referência do fabricante:
- SIHR100N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.108Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 347W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.108Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 347W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de la serie E de 4a generación de Vishay está equipado con un diodo de cuerpo rápido para mejorar la eficiencia de conmutación. Ofrece una baja cifra de mérito (FOM), capacidad efectiva reducida y pérdidas de conmutación y conducción minimizadas. Envasado en PowerPAK 8x8LR, es ideal para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, iluminación, industriales y de energía solar.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR100N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR100N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines