MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

11 085,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +3,695 €11 085,00 €

*preço indicativo

Código RS:
653-081
Referência do fabricante:
SIHR120N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

EF

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.125Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de 4a generación de Vishay dispone de un diodo de cuerpo rápido para mejorar la eficiencia de conmutación. Proporciona una baja cifra de mérito (FOM), capacidad efectiva reducida y pérdidas de conmutación y conducción minimizadas. Encapsulado en un encapsulado PowerPAK 8x8LR, es ideal para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, iluminación, industriales y de energía solar.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Links relacionados