MOSFET sencillos, Tipo N-Canal STMicroelectronics ST8L65N044M9, VDSS 650 V, ID 58 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines

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Código RS:
648-109
Referência do fabricante:
ST8L65N044M9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

ST8L65

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

8.10mm

Anchura

8.10 mm

Altura

0.95mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media/alta con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. Dispone de uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos, entre todos los MOSFET de potencia de superjunción de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo convierte en especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.

Excelente rendimiento de conmutación

Fácil de conducir

100 % a prueba de avalanchas

Excelente rendimiento de conmutación

Encapsulado PowerFLAT 8x8 HV

Conforme a RoHS

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