MOSFET sencillos, Tipo N-Canal STMicroelectronics ST8L65N044M9, VDSS 650 V, ID 58 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- Código RS:
- 648-109
- Referência do fabricante:
- ST8L65N044M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 648-109
- Referência do fabricante:
- ST8L65N044M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | ST8L65 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8.10mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie ST8L65 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8.10mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media/alta con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. Dispone de uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos, entre todos los MOSFET de potencia de superjunción de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo convierte en especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de conducir
100 % a prueba de avalanchas
Excelente rendimiento de conmutación
Encapsulado PowerFLAT 8x8 HV
Conforme a RoHS
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