MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM R2P020N06HZGT100, VDSS 60 V, Mejora, MPT3 de 3 pines

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Código RS:
646-553
Referência do fabricante:
R2P020N06HZGT100
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

MPT3

Serie

R2P

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

240mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

4.30mm

Anchura

4.70 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de ROHM de canal N con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de 60 V y 2 A de potencia tiene una baja resistencia de encendido y admite el accionamiento a baja tensión con un funcionamiento de 2 puntos a 5 V.

Certificación AEC-Q101

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