MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RQ5G060BGTCL, VDSS 40 V, Mejora, TSMT-3 de 3 pines

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Código RS:
646-556
Referência do fabricante:
RQ5G060BGTCL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

RQ5

Encapsulado

TSMT-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.0W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.6nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1mm

Longitud

3mm

Anchura

3 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de ROHM de canal N con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de 40 V y 6 A de potencia tiene una baja resistencia de encendido, un pequeño encapsulado de montaje superficial tipo TSMT3, un chapado sin plomo y cumple la restricción de sustancias peligrosas.

Sin halógenos

Rg 100 % y probado para UIS

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