MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM R4P020N06HZGT100, VDSS 60 V, Mejora, MPT3 de 3 pines
- Código RS:
- 646-554
- Referência do fabricante:
- R4P020N06HZGT100
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 646-554
- Referência do fabricante:
- R4P020N06HZGT100
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | R4P | |
| Encapsulado | MPT3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.30mm | |
| Anchura | 4.70 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie R4P | ||
Encapsulado MPT3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.30mm | ||
Anchura 4.70 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de canal N de 4 voltios de ROHM tiene una baja resistencia de encendido y admite un funcionamiento de accionamiento de 4 voltios.
Certificación AEC-Q101
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