Conjuntos MOSFET Microchip, Canal P, Canal N-Canal TC1550TG-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, SOIC de 8 terminales (TG), Mejora
- Código RS:
- 598-873
- Referência do fabricante:
- TC1550TG-G
- Fabricante:
- Microchip
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31 795,50 €
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 9,635 € | 31 795,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 598-873
- Referência do fabricante:
- TC1550TG-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Canal P, Canal N | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | TC1550 | |
| Encapsulado | SOIC de 8 terminales (TG) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Anchura | 3.9 mm | |
| Longitud | 4.90mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Certificate of Compliance | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Canal P, Canal N | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie TC1550 | ||
Encapsulado SOIC de 8 terminales (TG) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Anchura 3.9 mm | ||
Longitud 4.90mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Certificate of Compliance | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N y canal P de alta tensión de Microchip en un encapsulado SOIC de 8 cables es un transistor de modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación ofrece las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típico de los dispositivos MOS. Al igual que con todas las estructuras MOS, este dispositivo es inmune a fugas térmicas y rupturas secundarias inducidas térmicamente, lo que garantiza un rendimiento fiable.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Libre de fallos secundarios
Baja fuga de entrada y salida
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