MOSFET, Tipo N-Canal Microchip DN2625K4-G, VDSS 250 V, Reducción, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 598-727
- Referência do fabricante:
- DN2625K4-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 598-727
- Referência do fabricante:
- DN2625K4-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | DN2625 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie DN2625 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Reducción | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El transistor de modo de agotamiento de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. Los FET verticales de DMOS son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se desea una tensión de ruptura elevada, una impedancia de entrada alta, una capacitancia de entrada baja y velocidades de conmutación rápidas.
Tensión de umbral de puerta muy baja
Diseñado para ser impulsado por fuente
Bajas pérdidas por conmutación
Capacitancia de salida efectiva baja
Diseñado para cargas inductivas
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