MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 480 V, ID 10 A, Reducción, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 202-4780
- Referência do fabricante:
- STD13N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-4780
- Referência do fabricante:
- STD13N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 480V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | STD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 380mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 92W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 10.1mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 480V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie STD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 380mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 92W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 10.1mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET STMicroelectronics de potencia de canal N MDmesh M6 en un encapsulado DPAK tiene pérdidas de conmutación reducidas. También tiene una RDS(on) menor por área frente a la generación anterior.
100 % a prueba de avalancha
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