MOSFET, Tipo N-Canal Microchip LND150K1-G, VDSS 500 V, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 333-174
- Referência do fabricante:
- LND150K1-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 333-174
- Referência do fabricante:
- LND150K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | LND150 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie LND150 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Reducción | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de modo de agotamiento de canal N de alto voltaje de Microchip que utiliza la tecnología DMOS lateral de Supertex. La puerta está protegida contra ESD. Es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente conectados, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampas de tensión y amplificación.
Sin averías secundarias
Requisitos de accionamiento de baja potencia
Facilidad de conexión en paralelo
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integral
Alta impedancia de entrada y bajo CISS
Protección de puerta ESD
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