MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip VN2106N3-G, VDSS 60 V, ID 600 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 598-580
- Referência do fabricante:
- VN2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 598-580
- Referência do fabricante:
- VN2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 600mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | VN2106 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 0.205plg | |
| Altura | 0.82plg | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 600mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie VN2106 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 0.205plg | ||
Altura 0.82plg | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor vertical de modo de mejora de canal N de Microchip utiliza una estructura de semiconductor de óxido metálico (DMOS) de doble difusión vertical junto con un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación garantiza que el dispositivo esté libre de fallos secundarios y funcione con un requisito de unidad de baja potencia, lo que lo convierte en eficiente y fiable para diversas aplicaciones.
Facilidad de paralelismo
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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