MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip VN2106N3-G, VDSS 60 V, ID 600 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 598-580
- Referência do fabricante:
- VN2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 598-580
- Referência do fabricante:
- VN2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 600mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | VN2106 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 0.165 in | |
| Longitud | 0.205in | |
| Altura | 0.82in | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 600mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie VN2106 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 0.165 in | ||
Longitud 0.205in | ||
Altura 0.82in | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor vertical de modo de mejora de canal N de Microchip utiliza una estructura de semiconductor de óxido metálico (DMOS) de doble difusión vertical junto con un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación garantiza que el dispositivo esté libre de fallos secundarios y funcione con un requisito de unidad de baja potencia, lo que lo convierte en eficiente y fiable para diversas aplicaciones.
Facilidad de paralelismo
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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