MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Microchip VP0808L-G, VDSS 80 V, ID 280 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 649-535
- Referência do fabricante:
- VP0808L-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 649-535
- Referência do fabricante:
- VP0808L-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 280mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | VP0808 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 0.080 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 0.50mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 280mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie VP0808 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 0.080 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 0.50mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de Microchip en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puertas de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de manejo de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. Los FET verticales de DMOS son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se desea una tensión de umbral muy baja, una tensión de ruptura alta, una impedancia de entrada alta, una capacitancia de entrada baja y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de averías secundarias
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Facilidad de paralelismo
CISS bajo y velocidades de conmutación rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo fuente-drenaje integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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