MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN0109N3-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- Código RS:
- 598-980
- Referência do fabricante:
- VN0109N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bolsa de 1000 unidades)*
811,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 20 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bolsa* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,811 € | 811,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 598-980
- Referência do fabricante:
- VN0109N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | FET DMOS vertical de canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Encapsulado | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Anchura | 4.19 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal FET DMOS vertical de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Encapsulado TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 5.08mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Anchura 4.19 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El transistor vertical de modo de mejora de canal N de Microchip utiliza una estructura de semiconductor de óxido metálico (DMOS) de doble difusión vertical junto con un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación garantiza que el dispositivo esté libre de fallos secundarios y funcione con un requisito de unidad de baja potencia, lo que lo convierte en eficiente y fiable para diversas aplicaciones.
Facilidad de paralelismo
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Links relacionados
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN2210N2, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN0808L-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VP0550N3-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN0606L-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VP3203N8-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN1206L-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN2460N3-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN2450N8-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3