MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip TN0106N3-G, VDSS 60 V, ID 3.4 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 598-395
- Referência do fabricante:
- TN0106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 598-395
- Referência do fabricante:
- TN0106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | TN0106 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 0.82in | |
| Longitud | 0.205in | |
| Anchura | 0.165 in | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie TN0106 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 0.82in | ||
Longitud 0.205in | ||
Anchura 0.165 in | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor vertical de umbral bajo de modo de mejora de canal N de Microchip está construido utilizando una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien establecido. Este diseño combina las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS. Al igual que todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente.
Velocidad de conmutación rápida
Resistencia de conexión baja
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
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