MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN2450N8-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- Código RS:
- 598-308
- Referência do fabricante:
- VN2450N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 598-308
- Referência do fabricante:
- VN2450N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | FET DMOS vertical de canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Encapsulado | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Anchura | 4.19 mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal FET DMOS vertical de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Encapsulado TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.08mm | ||
Anchura 4.19 mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor vertical de modo de mejora de canal N de Microchip utiliza una estructura de semiconductor de óxido metálico (DMOS) de doble difusión vertical junto con un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación garantiza que el dispositivo esté libre de fallos secundarios y funcione con un requisito de unidad de baja potencia, lo que lo convierte en eficiente y fiable para diversas aplicaciones.
Facilidad de paralelismo
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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