MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN2460N3-G, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- Código RS:
- 598-665
- Referência do fabricante:
- VN2460N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | FET DMOS vertical de canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Encapsulado | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Anchura | 4.19 mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal FET DMOS vertical de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Encapsulado TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 5.08mm | ||
Anchura 4.19 mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET vertical de modo de mejora de canal N de Microchip es un transistor de desconexión normal que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación proporciona las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares al tiempo que ofrece la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típicos de los dispositivos MOS. Al igual que con todas las estructuras MOS, el dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente, lo que garantiza un rendimiento fiable incluso en condiciones exigentes.
Libre de averías secundarias
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Facilidad de paralelismo
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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