MOSFET, N-Canal Infineon IMZA65R026M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 64 A, PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 351-870
- Referência do fabricante:
- IMZA65R026M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-870
- Referência do fabricante:
- IMZA65R026M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Potencia de salida | 227W | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | IMZA65 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Anchura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Potencia de salida 227W | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie IMZA65 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.9mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Anchura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET CoolSiC 650 V, 26 mΩ G2, en encapsulado TO-247-4 de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación y permite un diseño acelerado de sistemas con soluciones más rentables, eficientes, compactas y fiables. La segunda generación incorpora mejoras significativas en las figuras de mérito clave, tanto para el funcionamiento de conmutación dura como para las topologías de conmutación suave, adecuadas para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Excelentes figuras de mérito (FOM)
La mejor RDS(on) de su clase
Gran robustez y calidad general
Rango de tensión de accionamiento flexible
Admite accionamiento unipolar (VGSoff=0)
La mejor inmunidad contra los efectos de activación
Mejora de la interconexión de paquetes con .XT
Encapsulado de 4 pines
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