MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R026M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 64 A, PG-TO247-4, Mejora de 4 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

11,32 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 240 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 911,32 €
10 - 9910,18 €
100 +9,40 €

*preço indicativo

Código RS:
351-870
Referência do fabricante:
IMZA65R026M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Potencia de salida

227W

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IMZA65

Encapsulado

PG-TO247-4

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.1mm

Certificaciones y estándares

JEDEC for Industrial Applications

Longitud

15.9mm

Anchura

21.1 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
Este MOSFET CoolSiC 650 V, 26 mΩ G2, en encapsulado TO-247-4 de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación y permite un diseño acelerado de sistemas con soluciones más rentables, eficientes, compactas y fiables. La segunda generación incorpora mejoras significativas en las figuras de mérito clave, tanto para el funcionamiento de conmutación dura como para las topologías de conmutación suave, adecuadas para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.

Excelentes figuras de mérito (FOM)

La mejor RDS(on) de su clase

Gran robustez y calidad general

Rango de tensión de accionamiento flexible

Admite accionamiento unipolar (VGSoff=0)

La mejor inmunidad contra los efectos de activación

Mejora de la interconexión de paquetes con .XT

Encapsulado de 4 pines

Links relacionados