MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R050M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 38 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 349-338
- Referência do fabricante:
- IMZA65R050M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-338
- Referência do fabricante:
- IMZA65R050M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 62mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 153W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 62mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 153W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET CoolSiC G2 de 650 V de Infineon se basa en la robusta tecnología Trench de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, que ofrece un rendimiento sin igual, una fiabilidad superior y facilidad de uso. Este MOSFET avanzado permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados que responden a las necesidades cada vez mayores de los sistemas y mercados de potencia modernos. Ofrece una potente solución para lograr una eficiencia superior del sistema en diversas aplicaciones, ya que garantiza un rendimiento óptimo en entornos exigentes.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
Tensión de excitación flexible y compatible con el esquema de control bipolar
Funcionamiento robusto del diodo de cuerpo en caso de conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
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