MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R060M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 32.8 A, PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 351-873
- Referência do fabricante:
- IMZA65R060M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
8,64 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 240 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,64 € |
| 10 - 99 | 7,78 € |
| 100 - 499 | 7,17 € |
| 500 - 999 | 6,65 € |
| 1000 + | 5,95 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 351-873
- Referência do fabricante:
- IMZA65R060M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 32.8A | |
| Potencia de salida | 130W | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | IMZA65 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Anchura | 21.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 32.8A | ||
Potencia de salida 130W | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie IMZA65 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Anchura 21.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET CoolSiC 650 V, 60 mΩ G2, en encapsulado TO-247-4 de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación y permite un diseño acelerado de sistemas con soluciones más rentables, eficientes, compactas y fiables. La segunda generación incorpora mejoras significativas en las figuras de mérito clave, tanto para el funcionamiento de conmutación dura como para las topologías de conmutación suave, adecuadas para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Excelentes figuras de mérito (FOM)
La mejor RDS(on) de su clase
Gran robustez y calidad general
Rango de tensión de accionamiento flexible
Admite accionamiento unipolar (VGSoff=0)
La mejor inmunidad contra los efectos de activación
Mejora de la interconexión de paquetes con .XT
Encapsulado de 4 pines
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R010M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 144 A, PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R050M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 38 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R020M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 83 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R026M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 64 A, PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R033M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 53 A, PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R040M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R015M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 103 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R060M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 32.8 A, PG-TO-247, Mejora de 3 pines
