MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD023N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 137 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

10,68 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 2000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 901,068 €10,68 €
100 - 2401,015 €10,15 €
250 - 4900,939 €9,39 €
500 - 9900,865 €8,65 €
1000 +0,833 €8,33 €

*preço indicativo

Código RS:
349-427
Referência do fabricante:
IPD023N03LF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

137A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-TO252-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.35mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
Este MOSFET de potencia de 30 V con tecnología StrongIRFET 2 de Infineon presenta una RDS(on) de 2,3 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado DPAK. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.

Productos de uso general

Excelente robustez

Amplia disponibilidad en distribuidores

Encapsulado estándar y disposición de pines

Altos estándares de fabricación y suministro

Links relacionados