MOSFET, N-Canal Infineon IPD023N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 137 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-427
- Referência do fabricante:
- IPD023N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
22,82 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 1990 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,282 € | 22,82 € |
| 100 - 240 | 2,17 € | 21,70 € |
| 250 - 490 | 2,006 € | 20,06 € |
| 500 - 990 | 1,85 € | 18,50 € |
| 1000 + | 1,78 € | 17,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-427
- Referência do fabricante:
- IPD023N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 137A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 137A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET de potencia de 30 V con tecnología StrongIRFET 2 de Infineon presenta una RDS(on) de 2,3 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado DPAK. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.
Productos de uso general
Excelente robustez
Amplia disponibilidad en distribuidores
Encapsulado estándar y disposición de pines
Altos estándares de fabricación y suministro
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID -4.2 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 4.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 4.3 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines